拉晶過(guò)程全程自動(dòng)化
在惰性氣體環(huán)境中,用石墨加熱器將硅材料熔化,
用直拉法生長(zhǎng)無(wú)位錯(cuò)單晶的設(shè)備。
性能優(yōu)勢(shì)
大直徑設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu):匹配大直徑單晶硅棒生長(zhǎng)所需空間。
可采用連續(xù)加料裝置。
采用超低碳不銹鋼材料,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。
8英寸硅部件級(jí)單晶爐 | |||
型號(hào) | FT-CZ1200Si | ||
場(chǎng)所 | 周圍溫度 | 15~30℃ | |
周圍濕度 | ≤65%(無(wú)結(jié)露,腐蝕氣體) | ||
潔凈度 | 一般環(huán)境水平 | ||
噪音 | ≤75db | ||
地基 | 3000kg/㎡以上 | ||
電源 | 額定電壓 | 3P 380VAC±10% 50/60Hz | |
額定電容 | 320kVA | ||
額定流量 | 500A | ||
冷卻水 | 流量范圍 | 350~400L/min | |
供給壓力 | 0.3~0.4MPa | ||
重量 | 設(shè)備高度 | <8250mm △ | |
設(shè)備重量 | 約10T |
△ 項(xiàng)數(shù)據(jù)視上爐筒高度而定,本設(shè)備數(shù)據(jù)不含磁場(chǎng)。
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